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LND150N3-G - DMOSFET, N-Ch Depletion-Mode, 500V 30 mA TO-92,
DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungs-Modus Beschreibung: Der LND150 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verarmungstransistor (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie von Supertex verwendet. Das Tor ist ESD-geschützt. Der LND150 ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen normalerweise eingeschaltete Schalter, Präzisionskonstantstromquellen, Spannungsrampengenerierung und Verstärkung. Merkmale • Frei von sekundärer Aufschlüsselung • Niedriger Antriebsleistungsbedarf • Leichte Parallelisierung • Ausgezeichnete thermische Stabilität • Integrierte Source-Drain-Diode • Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS • ESD-Gate-Schutz Anwendungen: • Festkörper-Relais • Normalerweise eingeschaltete Schalter • Konverter • Stromversorgungsschaltungen • Konstantstromquellen • Eingangsschutzschaltungen Technical Data: • BVdsx: 500 V • RDS: 1000 Ohm • Ugs (off): -1,0 ... -3,0 V • Ic: 1 mA
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Der Ego-depletion Effekt. Ressourcenerschöpfung oder Motivationsdefizit?, Taschenbuch von Melanie Erdmann, GRIN, 978-3-668-03451-8
Der Ego-depletion Effekt. Ressourcenerschöpfung Oder Motivationsdefizit?, Taschenbuch Von Melanie Erdmann, Grin, 978-3-668-03451-8, Seitenanzahl: 32
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